半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西藤征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996192589
Publication number (International publication number)：1997012680
Application date： Sep. 29, 1988
Publication date： Jan. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐熱性,耐湿性および低応力性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することにより得られる半導体装置である。(A)下記の一般式(1)で表される4,4′-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3′,5,5′-テトラメチルビフェニルが10重量%以上含有されているエポキシ樹脂。【化1】(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表されるシリコーン化合物。【化2】

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表される4,4′-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3′,5,5′-テトラメチルビフェニルが10重量%以上含有されているエポキシ樹脂。【化1】(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表されるシリコーン化合物。【化2】

IPC (5)：

C08G 59/24 NHQ , C08G 59/40 NKB , C08G 59/62 NJS , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (4)：

C08G 59/24 NHQ , C08G 59/40 NKB , C08G 59/62 NJS , H01L 23/30 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-036527
特開昭62-296449
特開昭61-098726

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