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J-GLOBAL ID：200903051008400180

フォトコンダクタおよびその製造方法、ならびに光スイッチ

Inventor： 千原 一徳 ,  荒木 俊行 ,  田伏 一彦 ,  蛸島 武尚
Applicant, Patent owner： 株式会社アドバンテスト
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238566
Publication number (International publication number)：1997082990
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】非照射時における電極間の絶縁性を向上させる。【解決手段】絶縁基板1と、該絶縁基板1上に形成された半絶縁性半導体層2と、該半絶縁性半導体層上に形成された所定幅のギャップを有する電極3a,3bとを有し、ギャップから半絶縁性半導体層2に入射された光に応じて電極間の抵抗値が変化するフォトコンダクタであって、半絶縁性半導体層2が入射された光の侵入長と同程度の厚さに形成されている。非照射時に、侵入長より深い領域に暗電流が流れないような構成となっている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された半絶縁性半導体層と、前記半絶縁性半導体層上に形成された所定幅のギャップを有する複数の電極とを有し、前記ギャップから前記半絶縁性半導体層に入射された光に応じて前記電極間の抵抗値が変化するフォトコンダクタであって、前記半絶縁性半導体層が入射された光の侵入長と同程度の厚さに形成されていることを特徴とするフォトコンダクタ。

IPC (2)：

H01L 31/0248 ,  H01L 27/146

FI (2)：

H01L 31/08 G ,  H01L 27/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-042877
  
• 特開昭62-086772
  
• 特開昭60-042877
  
• 特開昭62-086772