不揮発性半導体記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992072026
Publication number (International publication number)：1993275659
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、NANDセル型EEPROMの高集積化を可能とすることを目的とする。【構成】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板1上に絶縁膜30を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層して形成されてなる不揮発性半導体メモリセルが隣接するもの同士でソース・ドレイン拡散層9を共用する形で直列接続してNANDセルを構成し、このNANDセルのソース・ドレイン拡散層9を半導体基板上の絶縁膜30上に形成してなる半導体膜31で形成して構成されている。【効果】本発明によれば、ビット線間の距離を縮めることができ、NAND型EEPROMのメモリセルを縮小でき、チップ面積の大幅な縮小が可能となり、素子の高集積化が図れる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書替え可能な不揮発性半導体メモリセルが隣接するもの同士でソース、ドレイン拡散層を共用する形で直列接続されてNANDセルを構成してマトリクス配列されたセルアレイと、前記NANDセルのソース、ドレイン拡散層が半導体基板上の絶縁膜上に形成された半導体膜で形成されたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/115 , H01L 27/04 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-130570
特開昭55-055568
特開昭57-102072

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