多結晶の成長方法及び製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998261490
Publication number (International publication number)：2000091231
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】光を照射することによりアモルファス或いは多結晶を加熱し多結晶化する工程において、従来のレーザビームのサイズを越えた大面積基板の多結晶化を、重なりによる多結晶の不均一を生じせしめずに実現することを目的とする。【解決手段】半導体発光素子から放出される光を用いて点状、線状、或いは面状の光束を形成し、前記光束と前記被照射体とをひとつの方向に沿って相対的に移動させることにより前記被照射体の全面を光照射する。

Claim (excerpt)：

非晶質あるいは多結晶状態の被照射体を光照射により多結晶化せしめる多結晶の成長方法であって、半導体発光素子から放出される光を用いて点状、線状、或いは面状の光束を形成し、この光束を前記被照射体に照射することにより前記多結晶化することを特徴とする多結晶の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J

F-Term (8)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体層の溶融再結晶化方法,及び半導体層を溶融再結晶化するための装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-214567 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-232223
特開平2-112227

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