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J-GLOBAL ID：200903051027423514

半導体装置

Inventor： 山際 正憲
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 和泉 良彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002322375
Publication number (International publication number)：2004158613
Application date： Nov. 06, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】基板に形成される金属回路に接合された接合物と金属回路間の熱膨張係数差により発生する応力を分散させる。【解決手段】金属回路301aを分割するようにV字型のスリットパターン4aを金属回路301aに入れることにより、金属回路301aと金属回路301aに半田2aで接合される半導体素子1との接合部の最大距離を半減し、また金属回路301aの膨張変形がスリットパターン4a側へも拡がることにより抑制されるため、金属回路301aと半田2aで接合された半導体素子1との間の熱膨張係数差により発生する応力を分散させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁板に第1の金属回路が形成された基板と、 前記第1の金属回路に接合された接合物とを有する半導体装置において、 前記第1の金属回路に第1のスリットパターンを設け、 前記第1のスリットパターンの前記絶縁板側の前記絶縁板側パターン幅を前記第1のスリットパターンの前記第1の金属回路の接合面側の接合面側パターン幅よりも小さくしたこと 、を特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L23/12 ,  H01L23/36

FI (2)：

H01L23/12 J ,  H01L23/36 C

F-Term (4)：

5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC33