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J-GLOBAL ID：200903051027951804

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 樋野村 徹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003018746
Publication number (International publication number)：2004235211
Application date： Jan. 28, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】金属珪化物層上とポリSi層上にWプラグを備え、ポリSi層上におけるスルーホール底部のボイド形成およびWプラグの抵抗上昇を防止し、かつ高歩留まりで形成するための半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1および第2絶縁膜に第1スルーホールと第2絶縁膜に第2スルーホールを形成後、Ti膜の堆積とTi膜表面の窒化を繰り返して所望のTi膜厚を有するTi膜を第1および第2スルーホール内に形成する。次に、TiN膜、W膜を堆積後、W膜、TiN膜、Ti膜をCMP法により除去し、金属珪化物層上に第1WプラグとポリSi層上に第2Wプラグを形成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

金属プラグを有する半導体装置において、 半導体基板上に形成された多結晶シリコン層と、 前記半導体基板および前記多結晶シリコン層の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜に設けられ、前記多結晶シリコン層に接続するスルーホールと、 前記スルーホールの内面に形成された密着層と、 前記密着層上に形成されたバリア層と、 前記バリア層上に設けられ、前記スルーホールの内部に形成された金属プラグとを備え、 前記密着層は、窒素プラズマ処理により該密着層の表面が窒化されており、該窒化された密着層を複数回形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L21/768 ,  H01L21/28

FI (2)：

H01L21/90 A ,  H01L21/28 301R

F-Term (32)：

4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ92 ,  5F033WW02 ,  5F033XX28