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J-GLOBAL ID:200903051039286512

エネルギーデバイス及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004322515
Publication number (International publication number):2005183365
Application date: Nov. 05, 2004
Publication date: Jul. 07, 2005
Summary:
【課題】シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。【解決手段】集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されている。集電体と負極活物質薄膜との界面近傍に、集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されている。組成傾斜層は、集電体に含まれる元素及び負極活物質薄膜に含まれる元素の他にW、Mo、Cr、Co、Fe、Mn、Ni、及びPの中から選ばれた少なくとも1つの第3元素を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt):
集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されたエネルギーデバイスであって、 前記集電体と前記シリコンを主成分として含む負極活物質薄膜との界面近傍に、前記集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されており、 前記組成傾斜層は前記集電体に含まれる元素及び前記負極活物質薄膜に含まれる元素の他にW、Mo、Cr、Co、Fe、Mn、Ni、及びPの中から選ばれた少なくとも1つの第3元素を含むことを特徴とするエネルギーデバイス。
IPC (5):
H01M4/38 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40
FI (5):
H01M4/38 Z ,  H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/66 A ,  H01M10/40 Z
F-Term (34):
5H017AA03 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AL11 ,  5H029AL18 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ12 ,  5H029EJ01 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050CB29 ,  5H050DA07 ,  5H050EA08 ,  5H050EA24 ,  5H050FA12 ,  5H050GA10 ,  5H050GA24 ,  5H050HA12
Patent cited by the Patent:
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