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J-GLOBAL ID：200903051055958725
半導体集積回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
武石 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992110498
Publication number (International publication number)：1993304156
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電極部分が複数回の搭載に耐え、また、電極形成後に非破壊の電気的特性の測定ができ、また、接合時には裏面からある程度加圧しても、潰れない電極部を持つフリップチップ用半導体集積回路を提供するものである。【構成】 この半導体集積回路の電極部は、半導体基板1上にアルミパッド2、バリアメタル層4等が形成され、バリアメタル層4の上には金属コア6が形成され、この金属コア6の外周は、ハンダ層7を薄くコーティングした構造となっている。
Claim (excerpt)：
多数のハンダバンプの電極をその回路上に有し、他の基板とこのバンプを介して接合されるものにおいて、このバンプの内部を高融点の金属で形成し、その外周を低融点金属の膜で覆った電極構造としたことを特徴とする半導体集積回路。
FI (2)：
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 D
