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J-GLOBAL ID:200903051072309447
ウエハメッキ装置
Inventor:
,
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
熊谷 隆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998143019
Publication number (International publication number):1999335896
Application date: May. 25, 1998
Publication date: Dec. 07, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ウエハの表面、該表面に形成された溝や穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、再度酸化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエハメッキ装置を提供する。【解決手段】 ウエハの表面、該表面に形成された溝及び/又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、1つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入替えてメッキを施すことを特徴とする。このように1つのメッキ槽の中で酸化膜除去とメッキ膜形成とを連続して行うことにより、酸化膜の除去処理後、ウエハを空中に曝すことがなくメッキ処理を行うことができるから、再度酸化膜が形成されないうちにメッキ膜を形成することができる。
Claim (excerpt):
ウエハの表面、該表面に形成された溝及び/又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、1つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替えてメッキを施すことを特徴とするウエハメッキ装置。
IPC (4):
C25D 17/00
, C25D 5/34
, H01L 21/288
, H01L 21/306
FI (4):
C25D 17/00 E
, C25D 5/34
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/306 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-310393
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特開平2-263996
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特開昭55-012619
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特開昭48-076745
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半導体ウエハのめっき方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-168160
Applicant:日本電装株式会社
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