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J-GLOBAL ID：200903051085816747
光半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
倉内 義朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199753
Publication number (International publication number)：1997051121
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】光結合半導体装置を小型化して実装面積を小さくする。【解決手段】発光素子32がリード12上にダイボンドされており、発光素子32は、そのリード12に対して絶縁物31によって絶縁状態で一体化されたリード部23aにワイヤー33によってワイヤーボンドされている。受光素子34は、他のリード12上にダイボンドされており、受光素子34は、そのリード12に対して絶縁物31によって絶縁状態で一体化されたリード部23aにワイヤー35によってワイヤーボンドされている。発光素子32と受光素子34とは、インナーパッケージ36によって光学的に結合されており、インナーパッケージ36はアウターパッケージ37によってモールドされている。各リード12は一部がアウターパッケージ37からそれぞれ外部に延出しており、各リード部23aの表面はアウターパッケージ37の表面から露出した状態になっている。
Claim (excerpt)：
発光素子および受光素子が光学的に結合した状態でそれぞれダイボンドされた一対の第1導電体と、各第1導電体に対して絶縁状態でそれぞれが一体になっており、前記発光素子および受光素子とそれぞれボンディングワイヤーよってワイヤーボンドされた一対の第2導電体と、前記発光素子および受光素子を、光学的に結合した状態で、各ボンディングワイヤーとともにモールドする透光性樹脂製のインナーパッケージと、そのインナーパッケージをモールドするアウターパッケージと、を具備し、いずれか一方の一対の導電体の一部がアウターパッケージからそれぞれ外部に延出するとともに、他方の一対の導電体の表面がアウターパッケージの表面から露出していることを特徴とする光半導体装置。
IPC (4)：
H01L 31/12
, H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 33/00
H01L 31/12 A
, H01L 21/56 J
, H01L 23/28 D
, H01L 33/00 N
