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J-GLOBAL ID：200903051103839792
静電容量式半導体センサ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996267367
Publication number (International publication number)：1998111203
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：
【要約】【課題】 電極間の距離の精度が高く、センサ特性が安定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用することができ、更に集積回路もセンサチップ上に形成することができ、チップの小型化も可能な静電容量式半導体センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11と、このシリコン基板11上に中央部を欠落して形成された酸化膜12と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜14とを有する。そして、酸化膜12の欠落部分において、シリコン基板11とシリコン膜14との間に空隙13が形成されている。
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、このシリコン基板上に中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜とを有し、前記酸化膜の欠落部分において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙が形成されていることを特徴とする静電容量式半導体センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
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