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J-GLOBAL ID：200903051103991926

撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム

Inventor： 田代 和昭 ,  結城 修 ,  海部 紀之 ,  光地 哲伸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206365
Publication number (International publication number)：2002090462
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高性能な複数の単結晶シリコンの撮像素子を用いて、繋ぎ目のない画像を提供できる大板の放射線、特にX線撮像装置を提供する。【解決手段】 被写体像を複数の領域に分割して撮像する、光電変換部を含む画素が配列された撮像領域と、前記領域内の複数の光電変換部間に設けられた、複数の画素を共通に処理又は/及び前記複数の画素からの信号を共通に処理する走査回路501、507、保護回路、外部端子を有する。

Claim (excerpt)：

被写体像を複数の領域に分割して撮像する、光電変換部を含む画素が配列された撮像領域と、前記領域内の複数の光電変換部間に設けられた、複数の画素を共通に処理又は/及び前記複数の画素からの信号を共通に処理する走査回路と、を有することを特徴とする撮像装置。

IPC (2)：

G01T 1/20 ,  H01L 27/14

FI (4)：

G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 C ,  G01T 1/20 G ,  H01L 27/14 K

F-Term (25)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG15 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CB11 ,  4M118FA06 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA03 ,  4M118HA21 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 周辺回路素子を集積化した画像形成ピクセル素子を有するピクセルアレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-500882   Applicant：デヴイツド・サーンオフ・リサーチ・センター,インコーポレーテツド
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-146608   Applicant：ソニー株式会社