Pat

J-GLOBAL ID：200903051108276702

単結晶SiCおよびその製造方法

Inventor： 谷野 吉弥
Applicant, Patent owner： 日本ピラー工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997170902
Publication number (International publication number)：1998324600
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高温熱処理により格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶を効率よく、かつ面積的にも十分な大きさを確保して製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面に熱CVD法でβ-SiC層2を形成した後、その複合体Mを1900〜2400°Cの高い温度で熱処理してβ-SiC層2の多結晶体をα-SiCに転化させるとともにα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させてα-SiC単結晶基材1の単結晶と一体の単結晶を界面3に大きく育成させる。

Claim (excerpt)：

α-SiC単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でβ-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β-SiC層の多結晶体をα-SiCに転化させるとともに上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 1/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 1/04 ,  H01L 21/205