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J-GLOBAL ID：200903051130426904

電子線マスク描画方法

Inventor： 河▲崎▼ 勝浩 ,  佐々木 実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997105680
Publication number (International publication number)：1998301255
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】連続的にマクク描画を行い、スループットの向上を図る。【解決手段】半導体素子製造に用いるマスク基板を製造する電子線マスク描画装置において、20kv以上の加速電圧と描画パターンの面積密度に応じて露光量を変えるパターン密度近接効果補正方式を組み合せた描画装置で、描画すべき一層分のパターンデータの内パターン寸法精度の厳しい部分と緩やかな部分に別け、前記寸法精度の厳しい部分は近接効果補正を与え、寸法精度の緩やかな部分は近接効果補正を与えないで描画する。

Claim (excerpt)：

半導体素子製造に用いるマスク基板を製造する電子線マスク描画装置において、20kv以上の加速電圧と描画パターンの面積密度に応じて露光量を変えるパターン密度近接効果補正方式を組み合せた描画装置で、描画すべき一層分のパターンデータの内パターン寸法精度の厳しい部分と緩やかな部分に別け、前記寸法精度の厳しい部分は近接効果補正を与え、寸法精度の緩やかな部分は近接効果補正を与えないで描画することを特徴とする電子線マスク描画方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 M