気相成長装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107236
Publication number (International publication number)：1997293681
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の製造に用いられる複数枚のウエハを一括で処理するMOCVD装置等の気相成長装置では、薄膜作製の際の膜厚均一性の向上、メンテナンスの容易化、または、ガス種切り替えの際の気流の変動などの課題があった。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明に係る気相成長装置は、ガスの導入する複数の導入管を反応炉の外周部に備え、排気口が反応炉の中心部に備え、導入管を延長した方向が排気口にかからないような方向にして、ガス流が渦を巻くようにすることで、形成される膜厚の均一性向上とメンテナンスの容易性向上に寄与することができた。また、導入管を複数有することから別種のガスをそれぞれの導入管から導入して、ウエハを公転させることによって、略一原子層成長によって積層することができる。

Claim (excerpt)：

複数のウエハを円周上に配置して、一度に複数枚ウェハを処理する反応炉を備えた気相成長装置において、前記円周の中心位置に前記反応炉内のガスを排気する排気口を設け、前記反応炉の外周部に原料ガスを導入する複数の導入口および該導入口に接続される導入管を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭51-083777
特表平4-504442
特開昭64-084717

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