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J-GLOBAL ID：200903051151924254

SAM型アバランシフォトダイオード及びその作製方法

Inventor： ヤン・ルベレゴ
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346425
Publication number (International publication number)：1995183569
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】高速動作が可能であり、しかも暗電流が生成し難い構造のSAM型アバランシフォトダイオードを提供する。【構成】SAM型アバランシフォトダイオードは、(イ)(111)B面を有する化合物半導体基板10と、(ロ)化合物半導体基板10の(111)B面上に形成された、開口部14を有する絶縁層12と、(ハ)開口部14の底部の露出した化合物半導体基板10の(111)B面の上及び開口部14の縁部近傍の絶縁層12上に形成された、化合物半導体から成るアバランシ増幅領域層18と、(ニ)化合物半導体から成り、アバランシ増幅領域層18を被覆する分離層20と、(ホ)化合物半導体から成り、分離層20を被覆する光吸収領域層22と、(ヘ)光吸収領域層22に電気的に接続された第1の電極26と、アバランシ増幅領域層16に電気的に接続された第2の電極28から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)(111)B面を有する化合物半導体基板と、(ロ)該化合物半導体基板の(111)B面上に形成された、開口部を有する絶縁層と、(ハ)該開口部底部の露出した化合物半導体基板の(111)B面の上及び該開口部の縁部近傍の絶縁層上に形成された、化合物半導体から成るアバランシ増幅領域層と、(ニ)化合物半導体から成り、該アバランシ増幅領域層を被覆する分離層と、(ホ)化合物半導体から成り、該分離層を被覆する光吸収領域層と、(ヘ)該光吸収領域層に電気的に接続された第1の電極と、前記アバランシ増幅領域層に電気的に接続された第2の電極、から成ることを特徴とするSAM型アバランシフォトダイオード。

IPC (2)：

H01L 31/107 ,  H01L 21/205