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J-GLOBAL ID:200903051157386785

多素子X線検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 秋本 正実
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996061216
Publication number (International publication number):1997257942
Application date: Mar. 18, 1996
Publication date: Oct. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 複数の光電変換素子が配列形成された半導体層701と、この半導体層の光電変換素子上面に各々積層されたシンチレータ層703と、このシンチレータ層相互間に介在する光遮蔽板706と、前記各シンチレータ層の上面を被う光反射手段とを備えてなる多素子X線検出器において、各検出素子710上面からの光漏洩を防止するための前記光反射手段と検出素子との密着度のばらつきに起因する検出素子(チャンネル)相互間での感度のばらつきをなくし、出力特性を向上する。【解決手段】 前記光反射手段として、シンチレータ層703上面を各別に、かつ直接に被着形成する光反射層707を用いる。
Claim (excerpt):
複数の光電変換素子が配列形成された半導体層と、この半導体層の光電変換素子上面に各々積層されたシンチレータ層と、このシンチレータ層相互間に介在する光遮蔽板と、前記各シンチレータ層の上面を被う光反射手段とを備えてなる多素子X線検出器において、前記光反射手段は前記シンチレータ層上面を各別に、かつ直接に被着形成する光反射層であることを特徴とする多素子X線検出器。
IPC (3):
G01T 1/20 ,  A61B 6/03 320 ,  H01L 31/09
FI (3):
G01T 1/20 E ,  A61B 6/03 320 T ,  H01L 31/00 A

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