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J-GLOBAL ID：200903051160672861

結晶配向セラミックスの製造方法

Inventor： 谷 俊彦 ,  竹内 嗣人
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124834
Publication number (International publication number)：1998053465
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶配向セラミックスを容易かつ安価に製造することができ,厚みのあるバルク材料を得ることができる,結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。【解決手段】 ホスト材料Aと,材料Pまたは材料Qとを混合して混合物とする混合工程を行い,上記混合物中における上記ホスト材料Aの結晶面または結晶軸を配向させる配向工程を行い,これを加熱することにより,上記ホスト材料Aを種結晶として該ホスト材料Aの表面および/または内部でゲスト材料Bの一部を生成する加熱工程を行う。

Claim (excerpt)：

反応により結晶異方性の少ないゲスト材料Bを生じる材料Pまたは該ゲスト材料Bの前駆体よりなる材料Qを用いて,形状異方性を有するホスト材料Aを種結晶として,該ホスト材料Aの表面および/または内部で上記ゲスト材料Bの少なくとも一部を生成させると共に,上記ホスト材料Aの結晶面または結晶軸の配向を利用して上記ゲスト材料Bの少なくとも一部の結晶面または結晶軸を配向させることを特徴とする結晶配向セラミックスの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 配向性磁器およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-223021   Applicant：宇部興産株式会社
• 特開昭57-188462
  
• 特開昭57-088029