ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001168630
Publication number (International publication number)：2002148805
Application date： Jun. 04, 2001
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】現像液として塩基性水溶液を使用することができ、実用的な感度を有していて膨潤のない微細パターンを形成することができるネガ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】レジスト組成物において、(I),(II)又は(III)で示されるアセタールによって保護されたビニルエーテル構造を分子内に有する構成成分を少なくとも含むように構成し、酸発生剤を併用する。

Claim (excerpt)：

アセタールによって保護されたビニルエーテル構造を分子内に有する構成成分を少なくとも含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/038 601 , C08F220/28 , G03F 7/075 521 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/038 601 , C08F220/28 , G03F 7/075 521 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 528

F-Term (42)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025FA10 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA03Q , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA16Q , 4J100BA20R , 4J100BB18Q , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12Q , 4J100BC53P , 4J100BC59P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100FA03 , 4J100JA38 , 5F046AA25 , 5F046BA07 , 5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-254773 Applicant：クンホセオキュホアハクジュシクヘサ
ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-106629 Applicant：富士通株式会社
アセタール基を含有するアルコキシ-スチレン重合体とその製造方法及びアルコキシ-スチレン重合体を主要成分とする化学増幅型フォトレジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317896 Applicant：クンホセオキュイーワハクジュシクヘサ

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