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J-GLOBAL ID：200903051178964320
半導体量子細線の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993026412
Publication number (International publication number)：1994244113
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法において、化合物半導体基板上に複数の分子層の段差をもつステップを形成する工程と、(001)面方位のテラスからなる周期的な階段状構造の半導体層を形成する工程とを少なくとも含む。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法において、化合物半導体基板上に複数の分子層の段差をもつステップを形成する工程と、(001)面方位のテラスからなる周期的な階段状構造の半導体層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体量子細線の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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