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J-GLOBAL ID：200903051189595874

窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法

Inventor： 大石 敏之 ,  南條 拓真 ,  三浦 成久 ,  阿部 雄次
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (4)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003106333
Publication number (International publication number)：2004311869
Application date： Apr. 10, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】高速スイッチング動作可能な窒化物半導体系電界効果トランジスタを得る。【解決手段】窒化物半導体系電界効果トランジスタを、基板1と、基板1上に形成され窒化物半導体からなるチャネル層3と、チャネル層3上に形成されチャネル層3よりバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなるキャリア供給層4と、キャリア供給層4上にそれぞれ設けられたソースおよびドレイン電極6,7と、ソースおよびドレイン電極間の前記キャリア供給層4に一部が表面に露出するように形成された絶縁膜領域8と、絶縁膜領域8上に設けられたゲート電極9と、で構成した。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成され窒化物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層上に形成され前記チャネル層よりバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなるキャリア供給層と、 前記キャリア供給層上にそれぞれ設けられたソースおよびドレイン電極と、 前記ソースおよびドレイン電極間の前記キャリア供給層に一部が表面に露出するように形成された絶縁膜領域と、 前記絶縁膜領域上に設けられたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体系電界効果トランジスタ。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (1)：

H01L29/78 301B

F-Term (33)：

5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA12 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG27 ,  5F140BG36 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CB00 ,  5F140CE02 ,  5F140CE18