Pat
J-GLOBAL ID：200903051202512533
露光用マスクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102698
Publication number (International publication number)：1993297566
Application date： Apr. 22, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明はハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 あらかじめパターニングされた遮光膜および半透明膜に隣接するように感光性樹脂パターンを形成し、この感光性樹脂パターンを遮光体および半透明膜の側壁保護膜として用いながら、遮光体および半透明膜パターンのウエットエッチングによる薄膜化を行う。【効果】 本発明により、遮光膜および半透明膜の側壁角が垂直で、表面荒さが小さく、寸法精度が良いハーフトーン型位相シフトマスクを得ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光膜または半透明膜パターンを形成する工程と、この遮光膜または半透明膜パターンをマスクに前記透明基板を所望の厚さだけエッチングする工程と、このエッチングされた透明基板上及び前記遮光膜または半透明膜パターン上に感光性樹脂層を形成する工程と、所定位置の前記遮光膜または半透明膜パターン上の感光性樹脂層を除去する工程と、前記感光性樹脂層が除去された部分の遮光膜または半透明膜パターンを等方性エッチングにより所望の厚さまでエッチングする工程と、前記感光性樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
IPC (2)：
Return to Previous Page
