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J-GLOBAL ID：200903051202788717

巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ

Inventor： 小金井 昭雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999102957
Publication number (International publication number)：2000040355
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電流マージンが十分小さい実用的なSOI基板上のGMRメモリ、ならびにGMRメモリ特性の向上した、周辺回路の高速化と共により好適なコンピュータペリフェラル向けの安価なメモリの提供。【解決手段】 基板/絶縁性を有するインシュレータ層/Siエピタキシャル層からなるSOI基板上に作製した第1磁性層/非磁性層/第2磁性層からなる磁気薄膜素子の近傍に絶縁層を介して書き込み線を設けたメモリ素子において、該書き込み線を第1磁性層とSOI基板のインシュレータ層の間に設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果メモリ。

Claim (excerpt)：

基板/絶縁性を有するインシュレータ層/Siエピタキシャル層からなるSOI基板上に作製した第1磁性層/非磁性層/第2磁性層からなる磁気薄膜素子の近傍に絶縁層を介して書き込み線を設けたメモリ素子において、該書き込み線を第1磁性層とSOI基板のインシュレータ層の間に設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果メモリ。