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J-GLOBAL ID：200903051209619317

半導体装置用リードフレーム

Inventor： 秋野 久則 ,  珍田 聡 ,  友部 政勝
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998249535
Publication number (International publication number)：2000077594
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 封止樹脂との間に良好な密着状態を作り出すことのできる半導体装置用リードフレームを提供する。【解決手段】 リードフレーム基板1aと、この表面に順次形成されたニッケルめっき膜5とパラジウムめっき膜6とにおいて、ニッケルめっき膜5を光沢度が0.5以下となるように形成する。

Claim (excerpt)：

リードフレームと、前記リードフレームの上に形成されたニッケルめっき膜と、前記ニッケルめっき膜の上に形成されたパラジウムめっき膜とから構成され、前記ニッケルめっき膜は、光沢度が0.5以下となるように形成されたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  C25D 3/12

FI (2)：

H01L 23/50 D ,  C25D 3/12

F-Term (10)：

4K023AA12 ,  4K023AA25 ,  4K023AA28 ,  5F067AA04 ,  5F067AA13 ,  5F067DC11 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067DC20 ,  5F067EA04