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J-GLOBAL ID：200903051211783612

半導体素子の製造方法及びその装置

Inventor： 下西 弘二 ,  湯浅 基和 ,  本間 孝治
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社 ,  株式会社ケミトロニクス
Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000348738
Publication number (International publication number)：2002155371
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の製造工程における透明導電膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質な膜を形成する方法及びその装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法による半導体素子における透明導電膜の形成において、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基板に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法による半導体素子における透明導電膜の形成において、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基板に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6)：

C23C 16/515 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (6)：

C23C 16/515 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

F-Term (43)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA14 ,  4K030KA30 ,  4K030LA04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA08 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045DP22 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF10 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EN04