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J-GLOBAL ID：200903051242355767

光半導体モジユール

Inventor： 山内 賢治 ,  谷澤 靖久
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991246409
Publication number (International publication number)：1993060937
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 小型で量産性に優れた送受信用光半導体モジュールを提供する。【構成】 光半導体素子と集光用レンズ2と光を分岐、結合させる光学素子を同一基板4上に配置し、光半導体素子LD1から出射されレンズ2により光ファイバ27に集光される光ビーム9の光路を確保するために、光ビーム9の幅よりも広い幅の溝10を基板4上に設けた。光半導体素子は基板4表面に形成された金属薄膜電極6上に、集光用レンズ2は基板4をエッチングして形成した溝7に、光学素子はプリズム底面と同じ形状の溝23に実装することで位置決めを行う。また、エッチングでは光ビーム通過溝10も同時に作製するものである。【効果】 光ビームの光路に溝を設けることにより、P-サイドを基板側にしたときに基板で光ビームが遮られるという問題を防ぐことができる。また基板上に精度よく形成した溝に光学部品を配置することで小型で再現性、量産性よく光半導体モジュールを製造できる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に配置、固定した、光を分岐・結合する機能を有する光学素子と、少なくとも二つの光半導体素子と、前記各光半導体素子の前面に配置した集光用のレンズと、該基板上に配置固定した前記光学素子とレンズを介して前記光半導体素子のおのおのと光学的に結合され実装される一本の光ファイバと、前記光半導体素子から出射されレンズにより集光される光ビームの光路に沿ってこの光ビームの幅よりも広い幅の該基板上に設けられた溝とを備えたことを特徴とする光半導体モジュール。

IPC (5)：

G02B 6/26 ,  G02B 6/24 ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/34 ,  H04B 9/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-038908
  
• 特開昭63-140589