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J-GLOBAL ID：200903051246202361

半導体装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187815
Publication number (International publication number)：1997018009
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 同一ガラス基板上に必要とする特性を有するNおよびPチャネル型のTFTを形成する。【構成】 ガラス基板101上にPTFTとNTFTとを集積化して形成する。この際、PTFTには低濃度不純物領域を設けない構成とする。また、NTFTは低濃度不純物領域を設ける構成とする。このような構成とすることで、PTFTの移動度の低下を抑制し、同時にNTFTのOFF電流の増加を抑制することができる。そしてCMOS回路を構成した場合に、回路の動作特性を改善することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成された半導体膜を利用して複数の薄膜トランジスタが形成されており、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも一つは、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接してまたは実質的に接して配置されたドレイン領域と、前記チャネル形成領域に接してまたは実質的に接して配置されたソース領域と、を有し、前記複数の薄膜トランジスタの他の少なくとも一つは、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接してまたは実質的に接して配置された低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域と接して配置されたドレイン領域と、少なくとも前記チャネル形成領域上と前記低濃度不純物領域上に配置されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記複数の薄膜トランジスタの他の少なくとも一つにおいて、前記低濃度不純物領域の不純物濃度は前記複数の薄膜トランジスタの他の少なくとも一つにおけるドレイン領域の不純物濃度よりも低く、前記低濃度不純物領域と前記ドレイン領域との境界は前記ゲイト絶縁膜によって決定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A