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J-GLOBAL ID：200903051246591090

ダイヤモンド薄膜及びその作成方法

Inventor： 大谷 久 ,  角野 真也
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097268
Publication number (International publication number)：1993271942
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜の作成の際に、ダイヤモンド薄膜とシリコン基板との密着性を向上させ、実用に耐えられる薄膜を得る。【構成】 シリコン基板45の一部に多孔質シリコン部分41を陽極化成によって作成し、その上部にダイヤモンドを作成することにより、微細孔44の中にダイヤモンドの粒子が入り、アンカー効果を発揮すると共に、残留シリコン44が曲がることによりダイヤモンド薄膜にかかる応力を緩和する。

Claim (excerpt)：

単結晶あるいは多結晶あるいは非定型の形態を有するシリコン基板の、一部または全部が多孔質化され、該多孔質シリコンに密着してダイヤモンドを主成分とする炭素からなる薄膜が形成されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-119671
  
• 特開昭62-149872
  
• 特開平4-025130