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J-GLOBAL ID：200903051266449088
強誘電体素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152370
Publication number (International publication number)：1993343345
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】強誘電体を基質とする薄膜を用いた強誘電体素子の製造方法において、グレインが小さく、また、大きさの揃っていることによって、比誘電率が高く、微細加工に向いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】強誘電体薄膜形成の下地となる部位に、イオン注入を施して、下地をアモルファス化する。また、その後、熱処理を行なって、再び結晶化させる。また、前記熱処理は、瞬時アニールであり、前記下地電極は、結晶質の金属よりなる。
Claim (excerpt)：
強誘電体を基質とする薄膜を用いた強誘電体素子の製造方法において、前記強誘電体薄膜を形成する下地電極に、不活性ガスをイオン注入する工程と、前記電極上に強誘電体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする強誘電体素子の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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