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J-GLOBAL ID：200903051267087180

半導体装置

Inventor： 新井 高雄 ,  山口 和己
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231716
Publication number (International publication number)：1996186261
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【課題】 回路を構成したときにさまざまな問題点を招来する寄生ダイオードによる不具合の発生が防止された半導体装置を実現すること。【解決手段】 第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられた半導体装置であって、前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域どうしが電気的に接続され、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは部分的にチャネルとなるバックゲート領域とソース領域が電気的に接続され、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタはバックゲート領域が前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン領域と電気的に接続されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられた半導体装置であって、前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域どうしが電気的に接続され、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは部分的にチャネルとなるバックゲート領域とソース領域が電気的に接続され、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタはバックゲート領域が前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン領域と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H02M 1/08 351 ,  H02M 3/28 ,  H03K 19/0944 ,  H02M 7/537

FI (4)：

H01L 29/78 657 D ,  H01L 27/08 102 J ,  H01L 29/78 301 K ,  H03K 19/094 A