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J-GLOBAL ID：200903051276379630
複合形スイツチ回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991172938
Publication number (International publication number)：1993090933
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】電力変換に使用するスイッチ素子の飽和電圧を、大電流領域でも小電流領域でも比較的低い値に保つことで、あらゆる電流領域でスイッチング損失を低減することにある。【構成】IGBT20とMOSFET10とを並列接続し、小電流ではこのIGBT20より飽和電圧が低いMOSFET10に電流を流すが、大電流ではMOSFET10よりも飽和電圧が低いIGBT20に電流を集中させる。更に、IGBT20のゲートしきい値電圧をMOSFET10のゲートしきい値電圧よりも高くして、ターンオフ時には先ずIGBT20をターンオフさせるが、この時点ではMOSFET10は未だオンしたままである。従ってIGBT20には殆ど電圧が印加されず、IGBT20でのターンオフ損失は殆ど零である。引き続きMOSFET10がターンオフするので、この複合形スイッチ回路のターンオフ特性はMOSFET10のターンオフ特性と同じものになる。
Claim (excerpt)：
スイッチング動作をすることで電力変換を行うスイッチ回路において、前記スイッチ回路を金属酸化膜半導体電界効果トランジスタと絶縁ゲートバイポーラトランジスタとの並列接続で構成していることを特徴とする複合形スイッチ回路。
IPC (2)：
H03K 17/56
, H02M 1/08 341
