Pat
J-GLOBAL ID：200903051279223330
磁気抵抗効果素子及び磁界検出装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995269122
Publication number (International publication number)：1997092906
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 発熱によるMR低下が少ないセンス電流で素子を動作させたとき、ダイナミックレンジが十分でかつノイズの少ない直線的なバイアス特性を再現性良く示す磁気抵抗効果素子を得ること。【解決手段】 バイアス印加用軟磁性体層14と、非磁性中間層13と、磁性バッファー層16と、導体層12a及び磁性体層12bが交互に積層されてなる人工格子磁気抵抗膜(GMR層)12とがこの順に積層されているGMR素子20。
Claim (excerpt)：
バイアス印加用軟磁性体層と、非磁性中間層と、導体層及び磁性体層が交互に積層されて成る人工格子磁気抵抗膜とがこの順に積層されている磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L 43/08
, C23C 14/34
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, C23C 14/34 P
, G11B 5/39
, H01F 10/08
