不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993262648
Publication number (International publication number)：1995122077
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】リフレッシュ動作が連続して行われる回数を第1カウンタ11でカウントし、この回数が所定回数以上となった場合に、プレート線制御回路8をセットして自動的にストア動作を実行させ、メモリ部1のメモリセルに揮発性として記憶されている記憶内容を不揮発性として記憶し直させる。【効果】長時間アクセスされないデータ等のリフレッシュ動作を不要とし消費電力の低減を図ることができるようになる。

Claim (excerpt)：

記憶内容の維持にリフレッシュ動作を必要とする揮発性のメモリセルと記憶内容の書き換えが可能な不揮発性のメモリセルとを備え、又は、これら揮発性と不揮発性の双方の記憶機能を有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、各メモリセルのアドレスをクロック信号に基づいて順次自動生成するアドレス生成手段と、該アドレス生成手段が生成したアドレスに基づいて揮発性のメモリセル又は記憶内容を揮発性として記憶したメモリセルの各記憶内容を順次再書き込みすることによりリフレッシュ動作を行うセルフリフレッシュ手段と、該セルフリフレッシュ手段がリフレッシュ動作を連続して行っている時間を計時するリフレッシュ計時手段と、該リフレッシュ計時手段が計時したリフレッシュ動作の時間が所定時間を超えたかどうかを判断するセルフストア開始手段と、該セルフストア開始手段が所定時間を超えたと判断した場合に、該セルフリフレッシュ手段によるリフレッシュ動作を停止させると共に、該アドレス生成手段が生成したアドレスに基づいて揮発性のメモリセルの各記憶内容を順次不揮発性のメモリセルに転送し記憶させるストア動作、又は、揮発性として記憶したメモリセルの各記憶内容を順次同じメモリセルに不揮発性として記憶させるストア動作を行うセルフストア手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 14/00 , G11C 16/02 , H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

G11C 11/34 352 A , G11C 17/00 307 Z , H01L 27/10 441 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-283176
NV-DRAM装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020244 Applicant：シャープ株式会社

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