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J-GLOBAL ID：200903051293748011

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 笠 靖
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349481
Publication number (International publication number)：1994203584
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明はデータの書き込み時又は消去時に、読出時に使用する電源電圧よりも高い電源電圧を必要とする不揮発性半導体記憶装置に関し、二電源を使用するが、実質的に単一電源と同様の操作で使用できる使用方法の容易な不揮発性半導体記憶装置の実現を目的とする。【構成】 データの書き込み時又は消去時に、読出時に使用する電源電圧Vccよりも高い電源電圧Vppを必要とし、標準電源用端子5の他に外部の高電圧供給手段2から供給される前記高電圧用の電源端子6を備える不揮発性半導体記憶装置において、高電圧供給手段2に高電圧を供給させるかどうかを制御する制御信号を出力する高電圧制御信号端子7を備えるように構成する。

Claim (excerpt)：

データの書き込み時又は消去時に、読出時に使用する電源電圧(Vcc)よりも高い電源電圧(Vpp)を必要とし、標準電源用端子(5)の他に外部の高電圧供給手段(2)から供給される前記高電圧用の電源端子(6)を備える不揮発性半導体記憶装置において、前記高電圧供給手段(2)に高電圧を供給させるかどうかを制御する制御信号を出力する高電圧制御信号端子(7)を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-147497
  
• 特開平2-165499
  
• 特開平3-058393
  
• 特開平4-074393