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J-GLOBAL ID：200903051309879774

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡山 智
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096105
Publication number (International publication number)：1997260373
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】たとえ膜圧が薄くとも、耐リーク性が高く、良好な特性のシリコン窒化膜を形成する。【解決手段】一定量のNH3 (a)を連続的に供給しながら、SiH2 Cl2 又はSiH4 (b)を間欠的に供給する初期成長過程と、一定量のNH3 (a)を連続的に供給しながら、一定量のSiH2 Cl2 又はSiH4 (b)を連続的に供給する通常成膜過程とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にシリコン窒化膜を形成するに当たり、前記半導体基板を収容した成膜装置内に、一定量のアンモニアガスを連続的に供給しながら、珪素を構成成分として含む硅素含有ガスを間欠的に供給する第1の工程と、前記第1の工程後、前記成膜装置内に、前記一定量のアンモニアガスを連続的に供給しながら、一定量の前記珪素含有ガスを連続的に供給する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 27/04 C