Pat
J-GLOBAL ID：200903051310098778
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法
Inventor：
,
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002180255
Publication number (International publication number)：2004023070
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：
【課題】強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置、並びにこれら磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、強磁性層が回転磁場中熱処理とその後の静磁場中熱処理を含む熱処理が施されている磁気抵抗効果素子1及びこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。また、上記磁気抵抗効果素子1及び上記磁気メモリ装置を製造する際に、強磁性層5,7に対して回転磁場中熱処理を施す工程と、その後静磁場中熱処理を施す工程を行う。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層が、回転磁場中熱処理と、その後の静磁場中熱処理を含む熱処理が施されている
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L43/08
, H01L27/105
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, H01L43/12
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083LA10
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR33
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page
