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J-GLOBAL ID：200903051310749167

表面パシベーティッド光起電装置

Inventor： ヴェンカテサン・マニバンナン ,  アバシフレク・ウド・イーボング ,  ジーウン-ルゥ・ジェフリー・ファン ,  トーマス・ポール・ファイスト ,  ジェイムズ・ニール・ジョンソン
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (3)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006130105
Publication number (International publication number)：2006319335
Application date： May. 09, 2006
Publication date： Nov. 24, 2006
Summary：

【課題】光電池(12)を含む光起電装置(10)を提供する。【解決手段】光電池(12)は、結晶性半導体材料を含むエミッタ層(16)と、エミッタ層(16)に隣接して配置された低濃度ドープ結晶質基板(22)とを含む。低濃度ドープ結晶質基板(22)及びエミッタ層(16)は、反対型にドープされる。光起電装置(10)は、光電池(12)に結合された背面パシベーティッド構造(14)を含む。この構造は、低濃度ドープ結晶質基板(22)に隣接して配置された高濃度ドープ背面電界層(24)を含む。高濃度ドープ背面電界層(24)及び低濃度ドープ結晶質基板(22)は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層(24)のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板(22)のドーピングレベルよりも高い。この構造は、低濃度ドープ結晶質基板(22)に隣接して配置された真性背面パシベーティッド層(26)を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

光起電装置(10)であって、 光電池(12)と背面パシベーティッド構造(14)とを含み、 前記光電池(12)が、結晶性半導体材料を含むエミッタ層(16)と、 前記エミッタ層(16)に隣接して配置された低濃度ドープ結晶質基板(22)と、を含み、 前記低濃度ドープ結晶質基板(22)及びエミッタ層(16)が反対型にドープされ、前記低濃度ドープ結晶質基板(22)が単結晶又は多結晶半導体材料を含み、 前記背面パシベーティッド構造(14)が前記低濃度ドープ結晶質基板(22)に隣り合うように配置された高濃度ドープ背面電界層(24)を含み、 前記高濃度ドープ背面電界層(24)がドープアモルファス又はドープ微結晶半導体材料を含み、前記高濃度ドープ背面電界層(24)及び低濃度ドープ結晶質基板(22)が同種型にドープされ、また前記高濃度ドープ背面電界層(24)のドーピングレベルが前記低濃度ドープ結晶質基板(22)のドーピングレベルよりも高い、 光起電装置(10)。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 A

F-Term (13)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許公開第2004/0261840号公報
  
• 米国特許第6,150,603号公報
  
• 欧州特許公開第1489667A2号公報
  

Cited by examiner (3)

• 光電池および光電池を製造するための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-511140   Applicant：ユニヴェルシテドゥヌーシャテルアンスティチュドゥミクロテクニク
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260746   Applicant：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-268199   Applicant：三洋電機株式会社