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J-GLOBAL ID：200903051310983119

複数枚の基板に薄膜を蒸着可能な原子層蒸着装置

Inventor： ヒョン グヮン ス ,  パク キョン ホ ,  ユ ニュン グ ,  チェ カン ジュン ,  チョン ス ホン
Applicant, Patent owner： ピー.ケー リミテッド.
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999268198
Publication number (International publication number)：2000319772
Application date： Sep. 22, 1999
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 複数枚の基板に対して薄膜を蒸着可能な原子層蒸着装置を提供する。【解決手段】 蒸着装置は真空チャンバ(110)と、真空チャンバの内部に設けられた反応器(120)とを具備する。反応器は分離可能な複数のモジュール(140)及びガス供給部(130)を備える。モジュールを組立てることにより、開口(A)と、基板を収容するための複数のステージ(114)が形成される。反応ガス及びパージガスはガス供給部(130)から反応器内に供給される。各ガスをステージ部に注入するためのガス供給ライン(150)がモジュールに形成される。この蒸着装置によれば、微細パターンを有する複数枚の基板に、良質の性質を有する薄膜を一度に蒸着できる。

Claim (excerpt)：

複数の基板(122;222)に対して薄膜を蒸着可能な原子層蒸着装置であって、真空チャンバ(110)と、分離可能に組立てられる複数のモジュール(140)と、前記モジュールの組立てにより、それらの内部領域に空間的に区画された複数のステージ部(114)と、前記基板を各ステージ部にそれぞれ配置するために形成された開口(A)とを有する、前記真空チャンバの内部に設けられた反応器(120)と、反応ガス及びパージガスを前記反応器内に供給するために前記反応器に設けられたガス供給部(130)と、前記ガス供給部から供給されたガスを前記ステージ部に注入するために、前記モジュールのそれぞれに形成された複数のガス供給ライン(150)とを具備することを特徴とする蒸着装置。

F-Term (7)：

4K029AA09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA00 ,  4K029DA04 ,  4K029DA06 ,  4K029DA08 ,  4K029JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-063925
  
• 特開平1-296613
  
• 特開平1-296613
  
• 特開昭61-063925