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J-GLOBAL ID：200903051334721689

パターン形成方法

Inventor： 中 島 昭 ,  小 松 通 郎
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252018
Publication number (International publication number)：1993088373
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】耐エッチング性に優れ、ボイド、ピンホールなどの欠陥がなく、しかも硬化時に膜収縮がなく、その上絶縁性にも優れたパターン状膜を形成しうるようなパターン形成方法を提供する。【構成】基板上にポリシラザンを含む塗布液を塗布して塗膜を形成し、該塗膜に酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射後、紫外線未露光部分を除去してパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、 下記一般式(i)【化1】(ただし、R1 、R2 およびR3 は、それぞれ独立して水素原子または炭素原子数1〜8のアルキル基である。)で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザンの1種または2種以上を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する工程と、次いで該塗膜に酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射し、塗膜の紫外線露光部分を硬化させて被膜を形成する工程と、塗膜の紫外線未露光部分を除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 311 A ,  H01L 21/30 361 L