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J-GLOBAL ID：200903051341326027
透明導電膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
臼村 文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991195891
Publication number (International publication number)：1993009724
Application date： Jul. 09, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：
【要約】【構成】 ターゲット29の裏面の磁石装置31を失印T方向に往復移動させながら、直流電源41からの直流電力と、高周波電源43からの高周波電力とを重畳してスパッタ電極21に供給し、ITOからなるターゲット29をスパッタし、基板27上にITO薄膜を形成する。【効果】 低抵抗のITO薄膜が得られる。
Claim (excerpt)：
マグネトロンスパッタ法によりインジウム系酸化物をスパッタするに際し、ターゲットに直流電力と高周波電力とを重畳せしめて供給するとともに、ターゲット上に形成される磁界の位置を変化させて、インジウム系酸化物からなるターゲットをスパッタすることを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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