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J-GLOBAL ID：200903051344440599

被膜の製造方法

Inventor： 谷口 靖
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154551
Publication number (International publication number)：1993004896
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【構成】 磁気ディスクや磁気ヘッド等の磁気記録層上に、水素化アモルファス炭素膜やダイヤモンド状炭素膜などの膜を形成し、その膜の光学吸収端よりもエネルギーの高い光をその膜に照射する工程を有する被膜の製造方法。【効果】 光照射によって膜の内部応力が緩和するので、基体等に悪影響を与えることなく密着性を向上させることができ、膜剥離や磁気記録の腐食を良好に防止できる被膜が容易に得られる。

Claim (excerpt)：

基体上に炭素と水素を主成分とする膜を形成し、該膜の光学吸収端よりもエネルギーの高い光を該膜に照射する工程を有する被膜の製造方法。

IPC (8)：

C30B 28/02 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/04 ,  C30B 33/04 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72 ,  G11B 11/10