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J-GLOBAL ID:200903051355995142

絶縁膜評価方法、絶縁膜評価装置及び絶縁膜評価システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999374920
Publication number (International publication number):2001189361
Application date: Dec. 28, 1999
Publication date: Jul. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】 短期間で絶縁膜の全面の信頼性の評価が行える絶縁膜評価方法、絶縁膜評価装置及び絶縁膜評価システムを提供する。【解決手段】 基体上に形成された絶縁膜に電圧を印加する複数の電圧源と、前記複数の電圧源の各々に接続され、該電圧源により印加された電圧を前記絶縁膜に伝達する複数の電圧伝達部材と、前記複数の電圧源により印加した前記電圧により前記絶縁膜にリーク電流が流れるかどうかを検出する検出手段と、前記リーク電流が流れる位置を特定するために、前記複数の電圧伝達部材の各々と該リーク電流が流れる位置との距離を算出する算出手段とを備えて、前記絶縁膜の信頼性を評価する。
Claim (excerpt):
基体上に形成された絶縁膜に電圧を印加し、印加した前記電圧により前記絶縁膜にリーク電流が流れるかどうかを検出する絶縁膜評価方法において、前記絶縁膜上に形成された電極の複数の位置を介して、該絶縁膜に前記電圧を印加することを特徴とする絶縁膜評価方法。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  G01R 31/12
FI (2):
H01L 21/66 Q ,  G01R 31/12 Z
F-Term (10):
2G015AA29 ,  4M106AA07 ,  4M106AA12 ,  4M106AB02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CA04 ,  4M106DH04 ,  4M106DH11 ,  4M106DH16

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