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J-GLOBAL ID：200903051357388448
磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992234539
Publication number (International publication number)：1994084347
Application date： Sep. 02, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 メモリ素子のサイズが小さくなっても、充分に大きな読出し信号がえられる磁性薄膜メモリおよびその記録方法を提供する。【構成】 薄膜磁性体の磁化の向きによって情報が記録される磁性薄膜メモリ素子1を複数個有する磁性薄膜メモリであって、前記磁性薄膜メモリ素子が少なくとも保磁力の大きな磁性層aと保磁力の小さな磁性層bとを非磁性層cを介してa/c/b/cの周期をくり返して積層してなる人工格子膜およびスイッチング素子2により構成されている磁性薄膜メモリおよび前記磁性薄膜メモリを用いて磁化の向きにより情報を記録する磁性薄膜メモリの記録方法。
Claim (excerpt)：
薄膜磁性体の磁化の向きによって情報が記録される磁性薄膜メモリ素子を複数個有する磁性薄膜メモリであって、前記磁性薄膜メモリ素子が少なくとも薄膜磁性体とスイッチング素子とで構成されていることを特徴とする磁性薄膜メモリ。
Patent cited by the Patent：
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