重合体、これを含有する化学増幅型ネガレジスト及びレジストパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229154
Publication number (International publication number)：2000063433
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザ光等を露光光源として、微細なネガ型のレジストパターンを得ることのできる化学増幅型ネガレジストを提供する。【解決手段】ベース樹脂は、式(18)で表される。光酸発生剤は、ArFエキシマレーザ光露光でプロトン酸を発生する。【化18】 R1,R3,R5は水素原子、メチル基、アルキル基等、R2,R4は、橋かけ環式炭化水素基を有するアルキレン基、R6は、水素原子又はアルキル基。

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表され、重量平均分子量が、1,000〜500,000であることを特徴とする重合体。【化1】式(1)において、R1は水素原子又はメチル基、R2は、橋かけ環式炭化水素基を有する炭素数7〜18のアルキレン基を表している。

IPC (7)：

C08F 20/18 , C08F 20/28 , C08F 20/36 , C08L 33/06 , C08L 33/26 , G03F 7/038 601 , H01L 21/027

FI (7)：

C08F 20/18 , C08F 20/28 , C08F 20/36 , C08L 33/06 , C08L 33/26 , G03F 7/038 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (48)：

2H025AA00 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BD42 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BJ04 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002BG071 , 4J002BG121 , 4J002EB076 , 4J002EB106 , 4J002EQ006 , 4J002EU016 , 4J002EU026 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AM21Q , 4J100AM21R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04Q , 4J100BA04R , 4J100BA05Q , 4J100BA05R , 4J100BA06Q , 4J100BA06R , 4J100BA16P , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-203150 Applicant：日本電気株式会社
(メタ)アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-099064 Applicant：日本電気株式会社

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