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J-GLOBAL ID：200903051372662041

化学気相堆積およびスパッタリング装置と方法

Inventor： リタウ カール エー.
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997133742
Publication number (International publication number)：1998060658
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化学気相堆積及びスパッタリングにより基板上に材料を堆積する装置。【解決手段】 装置はチャンバ内で基板を保持する保持体を有する堆積チャンバを具備する。スパッタリングターゲットはチャンバ内で基板に対向し、スパッタリング材料を備えるスパッタリング表面を有する。チャンバ内のプラズマ発生器はチャンバに導入されるプロセスガスからプラズマを発生させるのに用いられる。ガス分配器はチャンバ内にプロセスガスを分配するのに用いられ、このプロセスガスは、(i)化学気相堆積によってCVD層を基板上に堆積することができる堆積ガスと、(ii)ターゲットをスパッタリングするためのプラズマを発生させて、基板上にスパッタリングされた層を堆積することができるスパッタリングガスからなる群より選択される。随意に、装置が、CVDおよびスパッタリングされた層を互いに拡散させて、堆積してスパッタリングした層の実質的に同質な拡散混合物を生成するために、基板を加熱するヒータを備えることもできる。装置は多成分合金を基板上に堆積するのに特に好適である

Claim (excerpt)：

材料を化学気相堆積およびスパッタリングによって堆積するためのプロセスチャンバであって、(a)チャンバ内で基板を保持する保持体と;(b)チャンバ内で前記基板に対向し、スパッタリング材料を備えるスパッタリング表面を有しているスパッタリングターゲットと;(c)チャンバ内にプロセスガスを分配するガス分配器と;(d)チャンバ内に導入されたプロセスガスからプラズマを発生させるためのプラズマ発生器とを具備し、前記プロセスガスは(i)化学気相堆積によって基板上にCVD(化学気相堆積)材料を堆積することができる堆積ガスと、(ii)基板上にスパッタリングを施された材料を堆積するためのターゲットをスパッタリングするプラズマを生成することができるスパッタリングガスとからなる群より選択されるプロセスチャンバ。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205

FI (7)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/205