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J-GLOBAL ID：200903051374601430

半導体集積回路装置

Inventor： 稲栄 勇二
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036538
Publication number (International publication number)：1993235266
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板から容量素子をシールドしているウエル領域を通じて出力側のノイズが入力側にまわり込むことを防ぐ。【構成】入力容量素子C1の下部電極2をP型半導体基板9からシールドするためのN型ウエル領域18と帰還容量素子C2の下部電極12をP型半導体基板9からシールドするためのN型ウエル領域28とを分離する。【効果】寄生容量と寄生抵抗を通って出力側のノイズが入力側にまわり込む系をなくし、これによりノイズ特性が改善される。

Claim (excerpt)：

複数の容量素子を含む機能ブロックを有する半導体集積回路装置において、前記機能ブロック内に共通の接続点をもつ第1および第2の容量素子が一導電型の半導体基板にたがいに分離された逆導電型の第1および第2のウエル領域上にそれぞれ形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。