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J-GLOBAL ID：200903051378798859

SOI基板の製造方法

Inventor： 小▲ぐら▼ 厚志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995017480
Publication number (International publication number)：1996191140
Application date： Jan. 09, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥が少ない、即ち結晶性に優れたSOI基板(SIMOX基板を含む)の製造方法を提供すること。【構成】 SIMOX法によるSOI基板(又はSIMOX基板)の製造に際し、予めSi基板の内部の所望位置に結晶欠陥を導入し、その後通常のSIMOX基板の製造工程である酸素イオン注入及び高温熱処理を施す。1例を挙げると、Si基板10にSi原子をイオン注入して(但しダメ-ジ回復のため低温熱処理を施す)、Si基板10の内部の所望位置に結晶欠陥11を導入する。その後低ド-ズ(2×1017/cm2)の酸素イオンを注入し、続いて高温熱処理する。【効果】 予め結晶欠陥11を導入することで、従来技術では困難であった低ド-ズの酸素イオン注入によるSOI構造の形成が可能となり、結晶欠陥の減少とプロセスコストの低下という効果が得られる。

Claim (excerpt)：

(1) Si基板内部の所望位置に結晶欠陥を導入する工程と、(2) 該Si基板に酸素原子をイオン注入する工程と、(3) 熱処理を施す工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322

FI (2)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-293637
  
• 特開昭63-217657
  
• 特開平2-237033
  
• 特開平3-235348