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J-GLOBAL ID：200903051383467208

薄膜EL素子及びその反射率最適化装置

Inventor： 高 青竹 ,  鶴岡 泰治 ,  見田 充郎 ,  長谷川 達志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992015894
Publication number (International publication number)：1993211094
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜の界面における反射光を軽減し、輝度の高い薄膜EL素子を実現する。【構成】 発光層と絶縁層とを層状に形成してなる薄膜EL素子において、k層目の絶縁層の膜厚dk を、k層目の絶縁層の屈折率nk と設定波長λとに関して、nk dk = (2m+1)(λ/4)(ただし、mは整数、kは0からの整数)の関係となるように設定し、各絶縁層の屈折率nk の間に一定の関係を満たすように設定することにより、各絶縁膜の膜厚の最適化を行う。その結果、薄膜EL素子を構成する各絶縁膜の界面における反射光が軽減して発光輝度が向上しする。また、絶縁層の膜厚により透過する光の波長を制御し、フィルタとしての機能を持たせることができる。

Claim (excerpt)：

発光層と絶縁層とを層状に形成してなる薄膜EL素子において、k層目の絶縁層の膜厚dk を、k層目の絶縁層の屈折率nk と設定波長λとに関して、nk dk = (2m+1)(λ/4)ただし、mは整数、kは0からの整数の関係を有することにより最適化したことを特徴とする薄膜EL素子。

IPC (3)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10