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J-GLOBAL ID：200903051385912250

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 上原 裕二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178807
Publication number (International publication number)：1996045027
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】磁気ディスク装置において磁気記憶媒体の情報信号を読み取る磁気抵抗効果素子に関し、高密度化される記録媒体への適用が容易で、バルクハウゼンジャンプの発生を抑制でき、しかも、磁区制御が容易なる。【構成】強磁性磁気抵抗効果を有しない軟磁性体層12と、軟磁性体層12上に形成された非磁性分離層13と、非磁性分離層13上でセンス領域にのみ形成された強磁性磁気抵抗効果層14と、強磁性磁気抵抗効果層14の両側の非磁性分離層13上に形成されて強磁性磁気抵抗効果層14の磁区を制御するための磁区制御用磁性体層と、前記強磁性磁気抵抗効果層14の両側の磁区制御用磁性体層の各々の上に形成された端子18を含む。

Claim (excerpt)：

線形化バイアス印加用の軟磁性体層と、前記軟磁性体層上に形成された非磁性分離層と、前記非磁性分離層上でセンス領域にのみ形成された強磁性磁気抵抗効果層と、前記強磁性磁気抵抗効果層の両側の前記非磁性分離層上に形成されて強磁性磁気抵抗効果層の磁区を制御するための磁区制御用磁性体層と、前記前記強磁性磁気抵抗効果層の両側の前記磁区制御用磁性体層の各々の上に形成された端子とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。