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J-GLOBAL ID：200903051387981461

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 三浦 祥紀 ,  嶋津 充 ,  元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松島 政人 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257070
Publication number (International publication number)：1997083017
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高温でのエピタキシャル成長が可能なエピタキシャルウェハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 AsまたはPを含む化合物半導体基板1と、基板1の表面1aおよび裏面1bを被覆するように形成された、GaN、InNまたはAlN、もしくはAlとGaとInとNとからなる窒化物混晶材料からなる被覆層2とを備える。

Claim (excerpt)：

AsおよびPからなる群から選ばれる少なくとも1つの揮発性成分を含む化合物半導体基板と、前記基板の少なくとも表裏両面を被覆するように形成された、(1)GaN、(2)InN、(3)AlN、および(4)AlとGaとInとNとからなる窒化物混晶材料からなる群から選ばれる材料からなる被覆層とを備えることを特徴とする、エピタキシャルウェハ。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 D